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壓電式稱重傳感器過載的保護(hù)方法
時間: 2024-03-14 15:35:22 瀏覽次數(shù)：
壓電傳感器有許多參數(shù)指示器，其中之一是過載維護(hù)，過載是指超越設(shè)備自身額定負(fù)載的過載?，F(xiàn)象是電流過大，電氣設(shè)備發(fā)熱，線路長期過載會降低線路的絕緣程度，以至燒毀傳感器設(shè)備或線路；過載維護(hù)是指即便負(fù)荷超越額定負(fù)荷，線路也不會燒壞，但有一定水平，普通為150%，過載運轉(zhuǎn)不能繼續(xù)。
壓電傳感器有多品種型，每種構(gòu)造的過載維護(hù)設(shè)計辦法也不同。許多辦法都有各自的優(yōu)缺陷。采用微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的小量程高靈活度壓力傳感器通常有平膜片、島膜片、梁膜等構(gòu)造，在設(shè)計過載維護(hù)時通常采用凸點等辦法完成。
構(gòu)成辦法包括背蝕刻技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)和玻璃蝕刻技術(shù)。但是，這些構(gòu)造通常具有很大的局限性，由于空腔尺寸大，靈活度進(jìn)一步遭到限制，并且硅晶片的應(yīng)用率降低，制造工藝的復(fù)雜性增加，并且消費本錢增加。
目前，小量程高靈活度壓電傳感器的研討主要集中在犧牲層構(gòu)造的壓力傳感器上。這主要是由于犧牲層構(gòu)造壓力傳感器的彈性膜片很薄，厚度能夠是2m以至更薄。
在這樣薄的構(gòu)造中，假如采用擴(kuò)散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層構(gòu)造壓力傳感器的應(yīng)變電阻，其厚度相對較大，這對彈性膜片的應(yīng)力散布有很大影響，不利于犧牲層構(gòu)造壓力傳感器的性能優(yōu)化。因而，經(jīng)過運用多晶硅納米薄膜來制造應(yīng)變電阻器，能夠進(jìn)一步應(yīng)用犧牲層技術(shù)的優(yōu)點。
過載維護(hù)是每個傳感器都要思索的要素，由于在運用過程中，丈量值可能會大于范圍。只要設(shè)計有過載維護(hù)的傳感器才干更好地運用，并且能夠運用更長時間。
如何為每個壓電傳感器設(shè)計過載維護(hù)有不同的過載范圍，所以無論你買什么樣的傳感器，你都必需曉得它有幾過載維護(hù)，以便未來能夠更便當(dāng)?shù)剡\用。由于過載，沒有電路燒壞。
壓電傳感器有多品種型，每種構(gòu)造的過載維護(hù)設(shè)計辦法也不同。許多辦法都有各自的優(yōu)缺陷。采用微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的小量程高靈活度壓力傳感器通常有平膜片、島膜片、梁膜等構(gòu)造，在設(shè)計過載維護(hù)時通常采用凸點等辦法完成。
構(gòu)成辦法包括背蝕刻技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)和玻璃蝕刻技術(shù)。但是，這些構(gòu)造通常具有很大的局限性，由于空腔尺寸大，靈活度進(jìn)一步遭到限制，并且硅晶片的應(yīng)用率降低，制造工藝的復(fù)雜性增加，并且消費本錢增加。
目前，小量程高靈活度壓電傳感器的研討主要集中在犧牲層構(gòu)造的壓力傳感器上。這主要是由于犧牲層構(gòu)造壓力傳感器的彈性膜片很薄，厚度能夠是2m以至更薄。
在這樣薄的構(gòu)造中，假如采用擴(kuò)散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層構(gòu)造壓力傳感器的應(yīng)變電阻，其厚度相對較大，這對彈性膜片的應(yīng)力散布有很大影響，不利于犧牲層構(gòu)造壓力傳感器的性能優(yōu)化。因而，經(jīng)過運用多晶硅納米薄膜來制造應(yīng)變電阻器，能夠進(jìn)一步應(yīng)用犧牲層技術(shù)的優(yōu)點。
過載維護(hù)是每個傳感器都要思索的要素，由于在運用過程中，丈量值可能會大于范圍。只要設(shè)計有過載維護(hù)的傳感器才干更好地運用，并且能夠運用更長時間。
如何為每個壓電傳感器設(shè)計過載維護(hù)有不同的過載范圍，所以無論你買什么樣的傳感器，你都必需曉得它有幾過載維護(hù)，以便未來能夠更便當(dāng)?shù)剡\用。由于過載，沒有電路燒壞。
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